PRODUCTSInAs/InAsSb 検出器　VIGO PHOTONICS

InAs/InAsSb 検出器　VIGO PHOTONICS

VIGO PHOTONICS

半導体素子が InAs、InAsSb、または InAs/InAsSb T2SL 材料で作られたフォトボルテイックおよびフォトコンダクティブ赤外線検出器。
これらの検出器にはカドミウムと水銀が含まれていません。 その結果、検出器は RoHS 指令に準拠し、消費者市場で使用できます。。

NEW InAs and InAsSb IR 検出器

 

 Name 素子材料 冷却 レンズ 素子サイズ カタログ
  PVA-3-1×1-TO39-NW-90 InAs no no 1 x 1 Nameをクリック
  PVA-3-d1.2-SMD-pAl2O3-115 InAs no no d 1.2 Nameをクリック
  PVIA-5-1×1-TO39-NW-36 InAsSb no yes 1 x 1 Nameをクリック
  PVMA-1TE-5-1×1-TO39-pSiAR-70 InAsSb 1 TE no 1 x 1 Nameをクリック
  PVMA-1TE-6-1×1-TO39-pSiAR-70 InAsSb 1 TE no 1 x 1 Nameをクリック
  PVIA-10.6-1×1-TO39-NW-36 InAsSb 1 TE yes 1 x 1 Nameをクリック
InAs and InAsSb IR 検出器
  Name 冷却 レンズ ピーク波長 D* 立ち上がり(nsec)
  PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 2TE NO 2.9±0,.3 ≥ 5.0×109 ≤ 20
  PVIA-3-1×1-TO39-NW-36 2TE NO 2.9±0.3 ≥ 5.0×1010 ≤ 20
  PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 NO NO 2.9±0.3 ≥ 5.0×1010 ≤ 15
  PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 NO yes 2.9±0.3 ≥ 5.0×1011 ≤ 15
  PVA-2TE-4.5-1×1-TO8-wAl2O3-70 2TE NO 4.0±0.3 ~7.0×109 ~10
  PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 2TE NO 4.5±0.6 ≥ 5.0×108 ≤ 60
  PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 2TE NO 4.2±0.3 ~1.2×109 ~11
  PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE NO 4.5±0.6 ≥ 4.0×109 ≤ 15
  PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE NO 4.0±0.3 ~9.0×109 ~4
  PVIA-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 3TE NO 4.5±0.6 ≥ 4.0×1010 ≤ 5
  PCAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 2TE NO 6.2±0.3 ~2.8×108 ~12
  PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-70 2TE NO 4.0±0.5 ~2.6×108 ~17
  PCAS-3TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 3TE NO 6.1±0.3 ~4.3×108 ~17
  PCAS-2TE-11-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 2TE NO 6.0±0.3 ~1.9×108 ~7
  PCAS-3TE-12-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 3TE NO 10.5±0.3 ~2.5×108 ~4
  PCIAS-3TE-12-1×1-TO8-wZnSeAR-36 3TE yes 8.0±1.0 ~2.0×109 ~4
  PCAS-2TE-13-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 2TE NO 10.7±0.3 ~1.2×108 ~3

 

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