AMS3140-01　MWIR InAsSb 検出モジュール｜取扱製品一覧

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AMS3140-01　MWIR InAsSb 検出モジュール

PRODUCTSAMS3140-01　MWIR InAsSb 検出モジュール

AMS3140-01　MWIR InAsSb 検出モジュール

VIGO PHOTONICS

AMS3140-01　MWIR InAsSb 検出モジュール
温度安定化、アンプと温度コントローラの一体型
AMS3140-01 は、大量アプリケーション向けに設計されたコスト効率の高いソリューションです。内蔵アンプと温度コントローラーにより、広範囲の周囲温度にわたって一定の応答性が得られます。広い帯域幅と低 1/f ノイズコーナーにより、MEMS ヒーターやパルス LED またはレーザーなどの一般に入手可能な放射線源を使用した効率的な測定が可能になります。差動出力を備えた AMS3140-01 は、電磁干渉に対する高い耐性を備えたコネクタを介した簡単な接続を提供します。寸法が小さいため、ターゲットデバイスとの機械的および熱的統合が容易になります。

AMS3140-01 のパフォーマンスのテストと機能の評価には、評価キットと追加のアクセサリが利用可能です。

DATASHEET

特徴
⦿ スペクトル範囲: 2.5 ～ 5.7 μm
⦿ アクティブエリア: 1 mm × 1 mm
⦿ 温度コントローラー内蔵
⦿ ピンで設定可能なチップ温度
⦿ 低1/fノイズコーナー
⦿ 帯域幅: DC 最大 4 MHz
⦿ 単一低電圧電源: 3.3 V
⦿ 差動出力
⦿ 小型基板対基板コネクタ
⦿ 小型寸法: 30 mm × 19 mm × 10 mm
⦿ III-V材
⦿ 軽量：5g
⦿ 評価キットと追加アクセサリが利用可能

アプリケーション
⦿ MEMS、LED、またはレーザー源を備えたガス検知器
⦿ 温度センサー
⦿ 組み込みシステム
⦿ ポータブルデバイス

Specification
(T_amb = 20°C, R_load = 1 MΩ to ground, unless otherwise noted)

Parameter	Typical value
Chip temperature, T_chip	-20°C	20°C
Active element material	epitaxial InAsSb heterostructure
Active area, A	1 mm × 1 mm
Cut-on wavelength, λ_cut-on (10%)	2.35 μm	2.40 μm
Peak wavelength, λ_peak	4.3 μm	4.4 μm
Cut-off wavelength, λ_cut-off (10%)	5.4 μm	5.7 μm
Detectivity, D* (λ_peak)	2.0×109 cm⋅Hz1/2/W	5.0×108 cm⋅Hz1/2/W
Voltage responsivity R_v (λ_peak)	400 V/W	360 V/W
Low cut-off frequency, f_lo	DC	DC
High cut-off frequency, f_hi (R_load = 50 Ω)	4 MHz	3 MHz
Output impedance, R_out	50 Ω
Output voltage swing, V_out	0.2 V (negative) 2.2 V (positive)
Power supply voltage, V_sup	3.3 V
Detector package	TO39
Acceptance angle, Φ	58 deg.
Window	pSiAR (planar silicon, anti-reflection coating)

Spectral response (Ta = 20°C)

Mechanical layout, mm

オプティカニクス株式会社

PRODUCTSAMS3140-01　MWIR InAsSb 検出モジュール