PRODUCTSHgCdTe(MCT)マルチチャンネル ディテクター VIGO PHOTONICS

HgCdTe(MCT)マルチチャンネル ディテクター VIGO PHOTONICS


VIGO PHOTONICS

HgCdTe(MCT)マルチチャンネル ディテクター

活性表面が2つ以上の素子で構成されている赤外線検出器です。フォトダイオードやフォトコンダクタをベースにした象限儀式の検出器を提供しています。防衛・セキュリティ用途や、XY・差分計測に最適です。

All IR detectors

Image モデル番号 冷却 レンズ 最適波長 
λopt, µm
感度 D*(λopt),
cm·Hz1/2/W
時定数 τ,
ns
Package
Quadant-1200x1191-2.jpeg PVMQ-10.6 Uncooled No 10.6 ≥ 1.0×107 ≤ 1.5 TO8
Quadant-1200x1191-1.jpeg PCQ-10.6 Uncooled No 10.6 ≥ 9.0×106 ≤ 5 TO8

PVMQ-10.6 HgCdTe (MCT) Photovoltaic Detector HgCdTe(MCT)光起電力検出器

2.0 - 12.0 µm、室温動作、多接合クワドラント(4分割)

PVMQ-10.6は、最高の性能と安定性を実現するために、洗練されたHgCdTeヘテロ構造をベースにした非冷却型赤外線光起電力マルチジャンクション四分割検出器です。4象限検出器は、4つのアクティブな素子が象限形状に配置されています。このデバイスは、10.6 µmで最大の性能を発揮するように最適化されています。PVMQディテクタの主な用途は、レーザービームのプロファイリングと位置決めです。

DATASHEET

Spectral response (Ta = 20°C)

特徴
◉ 2.0~12.0 µmの波長域で高い性能を発揮します。
◉ 常温動作
◉ バイアス不要
◉ 1/fノイズなし
◉ DCから高周波まで対応可能
◉ 赤外放射の偏光に敏感

Specification (Ta = 20°C)

Parameter PVMQ-10.6
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Detectivity D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥2.0×107
Detectivity D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥1.0×107
Current responsivity Ri(λopt), A/W ≥0.002
Time constant τ, ns ≤1.5
Resistance R, Ω 30 to 150
Active area of single element A, mm×mm 1×1
Distance between elements, μm 200
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~70°
Window none

Mechanical layout, mm

TO8 package

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PVMQ-10.6 detector datasheet
TO8 quadrant package technical drawing
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PCQ-10.6 HgCdTe (MCT) Photoconductive Detector

1.0 – 12.0 µm, 室温動作, 4分割

PCQ-10.6は、最高の性能と安定性を実現するために、HgCdTeヘテロ構造を採用した非冷却型 赤外線光伝導4分割検出器です。クワドラントディテクターは、4つのアクティブな素子がクワドラント形状に配置されています。
このデバイスは、10.6 µmで最大の性能を発揮するように最適化されています。
検出器は、最適なバイアス電圧と電流読み出しモードで動作させる必要があります。
低周波での性能は、1/fノイズのために低下します。PCQディテクタの主な用途は、レーザービームのプロファイリングと位置決めです。

 

DATASHEET
 

Spectral response (Ta = 20°C)


特徴

1.0~12.0 µmの波長域で高い性能を発揮します。
常温動作
長寿命とMTBF
安定性・信頼性
1/fノイズ

Specification (Ta = 20°C)
 

Parameter PCQ-10.6
Active element material epitaxial HgCdTe heterostructure
Optimum wavelength λopt, µm 10.6
Detectivity D*(λpeak, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥1.9×107
Detectivity D*(λopt, 20 kHz), cm⋅Hz1/2/W ≥9.0×106
Current responsivity Riopt), A/W ≥0.001
Time constant τ, ns ≤5
1/f noise corner frequency fc, Hz ≤20k
Bias voltage Vb, V ≤6.0
Resistance R, Ω ≤240
Active area of single element A, mm×mm 1×1
Distance between elements, μm 50
Package TO8
Acceptance angle, Φ ~70°
Window none
 

Mechanical layout, mm


TO8 package

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