PRODUCTSInAs and InAsSb Detector

InAs and InAsSb Detector

VIGO PHOTONICS

InAs/InAsSb Detectors

半導体素子InAs、InAsSbまたはInAs/InAsSb T2SL材料でできているフォトボルテイックおよびフォトコンダクティブ赤外線検出器。
これらの検出器は、カドミウムと水銀を使用していません。その結果、検出器はRoHSに適合し、消費者市場で使用することができます。

以下のサイトで検出器を選んでください。
https://vigophotonics.com/products/infrared-detectors/inas-and-inassb-detectors/

NEW InAs and InAsSb IR detectors

  型名 素子材料 冷却 レンズ 受光エリア ピーク波長
PVA-3-1×1-TO39-NW-90
InAs
 		 なし なし 1x1 3.1
PVA-3-d1.2-SMD-pAl2O3-115
InAs
 		 なし なし d1.2 2.9
PVIA-5-1×1-TO39-NW-36
InAsSb
 		 なし レンズ付き 1x1 4.5
PVMA-1TE-5-1×1-TO39-pSiAR-70 InAsSb 1TE なし 1x1 4.0
PVMA-1TE-6-1×1-TO39-pSiAR-70 InAsSb 1TE なし 1x1 4.3
PVIA-10.6-1×1-TO39-NW-36 InAsSb なし レンズ付き 1x1 7.1

InAs and InAsSb 赤外検出器

  型名 冷却 レンズ ピーク波長nm 検出 D* 時定数 ns
PVA-3-0.1×0.1-TO39-NW-90 なし なし 2.9±0.3 ≥ 5.0×109 ≤ 20
PVIA-3-1×1-TO39-NW-36 なし レンズ付き 2.9±0.3 ≥ 5.0×1010 ≤ 20
PVA-2TE-3-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE なし 2.9±0.3 ≥ 5.0×1010 ≤ 15
PVIA-2TE-3-1×1-TO8-wAl2O3-36 2TE レンズ付き 2.9±0.3 ≥ 5.0×1011 ≤ 15
PVA-2TE-4.5-1×1-TO8-wAl2O3-70 2TE なし 4.0±0.3 ~7.0×109 ~10
PVA-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 なし なし 4.5±0.6 ≥ 5.0×108
 		 ≤ 60
PVAS-5-0.1×0.1-TO39-NW-90 なし なし 4.2±0.3 ~1.2×109 ~11
PVA-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE なし 4.5±0.6 ≥ 4.0×109 ≤ 15
PVAS-2TE-5-0.1×0.1-TO8-wAl2O3-70 2TE なし 4.0±0.3 ~9.0×109 ~4
PVIA-2TE-5-1×1-TO8-wAl2O3-36 2TE レンズ付き 4.5±0.6 ≥ 4.0×1010 ≤ 5
CAS-2TE-9-0.1×0.1-TO8-wZnSeAR-70 2TE なし 6.2±0.3 ~2.8×108 ~12
PCAS-2TE-9-1×1AR-TO8-wZnSeAR-70 2TE なし 4.0±0.5 ~2.6×108


~17
 
           
           
           
           
           
             












 

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