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PRODUCTSSelected Line UM-10.6 2.0 - 12.0μm DC - 70MHz 検出モジュール VIGO PHOTONICS

Selected Line UM-10.6 2.0 - 12.0μm DC - 70MHz 検出モジュール VIGO PHOTONICS


VIGO PHOTONICS 

 
セレクト ライン

赤外線検出器を搭載した検出モジュール
赤外検出モジュールは、赤外光検出器、信号処理エレクトロニクス、光学系、放熱システムなどを共通のパッケージに統合したものです。
これにより、過電圧、静電気、電磁波などの影響を受けにくくなります。さらに、高周波性能の向上、出力信号の標準化、小型化、コスト削減などのメリットもあります。VIGOでは、2μmから12μmまでのスペクトル領域において、非冷却またはペルチェ冷却可能な温度に最適化された赤外線検出器を搭載した検出モジュールを提供しています。
また、様々なアプリケーションに対応するために、様々な回路設計を行っています。

物体から放射された赤外線は、赤外線検出器のアクティブエリアに集中して光電信号を発生させ、フロントエンドエレクトロニクス(FEE)で感知されます。

フロントエンドエレクトロニクス回路は、以下の目的で使用されます。

IRディテクタの動作に最適な条件を提供する(高感度、高速応答、広いダイナミックレンジを実現します。これは、定電圧バイアスと光電信号読み出しの電流モードを最適化することで実現されます)。
過剰なバイアスから検出素子を保護します。
必要な周波数帯の中で信号を増幅する。これは、検出モジュールの結果として生じるノイズに対するプリアンプのノイズの寄与を最小限に抑えることで実現できます。

フロントエンドエレクトロニクスに加えて、検出モジュールは、ゲインブロック、フィルター、熱電冷却器コントローラ、アナログ-デジタルコンバータ(ADC)など、信号調整のための追加の電子ブロックを含むことができます。

 

UMシリーズ
検出器、プリアンプ、TECコントローラをコンパクトにまとめたことで、小型化、高周波特性の向上、EMI対策、信頼性の向上、使いやすさ、コスト削減などのメリットがあります。

 
UM-10.6 HgCdTe (MCT) 赤外検出器モジュール

2.0 - 12.0 µm, DC - 70 MHz, フォトボルテイック多重ジャンクション検出器
UM-10.6は、「オールインワン」の赤外線検出モジュールです。HgCdTeヘテロ構造をベースにしたTE冷却フォトボルテイック検出器と、トランスインピーダンス、DC結合プリアンプ、ファン、TE冷却器コントローラをコンパクトな筐体に内蔵しています。3°ウェッジ付きセレン化亜鉛(ZnSe)反射防止膜付き窓は、不要な干渉効果を防ぎます。UM-10.6検出モジュールは、非常に便利で使いやすいデバイスであるため、様々なLWIRアプリケーションに簡単に使用することができます。

カタログ ダウンロード PDF

Spectral response (Ta = 20°C)

特徴
◉ TECコントローラーとファンを内蔵
◉ シングルパワーサプライ
◉ DCモニター
◉ 赤外線の偏光に敏感
◉ 効果的な熱放散のための最適化
◉ 光学アクセサリに対応
◉ コストパフォーマンスに優れたOEM版も用意
◉ ユニバーサルでフレキシブル
◉ 数量割引価格
◉ 迅速な納品

アプリケーション
⦿ ガス検知、モニタリング、分析
⦿ CO2レーザー(10.6µm)の測定
⦿ レーザパワーの監視と制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザーキャリブレーション


Specification (Ta = 20°C)

パラメーター

代表値

Optical parameters   光学パラメーター
Cut-on 波長 λcut-on (10%) µm ≤2.0
ピーク波長 λpeak, µm 9.3±2.0
最適波長 λopt, µm 10.6
Cut-off 波長 λcut-off (10%) µm ≥12.0
検出感度 D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥5.0×107
検出感度 D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥4.0×107
出力雑音密度 Vn(100 kHz), nV/Hz1/2 ≤380
Electrical parameters   電気的パラメータ
電圧応答性 Rv(λpeak), V/W ≥1.6×102
電圧応答性 Ri(λopt), V/W ≥1.0×102
Low cut-off 周波数 flo, Hz DC
High cut-off 周波数 fhi, Hz ≥70M
出力インピーダンス Rout, Ω 50
出力電圧振幅 Vout, V ±2  (RL = 1 MΩ*))
出力電圧オフセット Voff, V max ±20
電源電圧 V sup, V +5
DC monitor (approx. 0 V offset) DCモニター (約0 Vオフセット)
電圧応答性 Rv(λpeak), V/W ≥3.6×101
電圧応答性 Ri(λopt), V/W ≥2.4×101
低域カットオフ周波数 flo, Hz DC
ハイカットオフ周波数 fhi, Hz 150k
Other information
能動素子材料 エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
光学領域 AO, mm×mm 1×1
ウィンドウ wZnSeAR
受入角, Φ ~70°
動作周囲温度 Ta, °C 10 to 30
信号出力ソケット SMA
DCモニターソケット SMA
電源ソケット DC 2.2/5.5
取付穴 M4
ファンの有無 yes
*) R – 負荷抵抗

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