UMシリーズ　UM-I-10.6　2.0 - 12.0μｍ DC - 100MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS｜取扱製品一覧

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UMシリーズ　UM-I-10.6　2.0 - 12.0μｍ DC - 100MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS

PRODUCTSUMシリーズ　UM-I-10.6　2.0 - 12.0μｍ DC - 100MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS

UMシリーズ　UM-I-10.6　2.0 - 12.0μｍ DC - 100MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS

セレクトライン

赤外線検出器を搭載した検出モジュール
赤外検出モジュールは、赤外光検出器、信号処理エレクトロニクス、光学系、放熱システムなどを共通のパッケージに統合したものです。
これにより、過電圧、静電気、電磁波などの影響を受けにくくなります。さらに、高周波性能の向上、出力信号の標準化、小型化、コスト削減などのメリットもあります。VIGOでは、2μmから12μmまでのスペクトル領域において、非冷却またはペルチェ冷却可能な温度に最適化された赤外線検出器を搭載した検出モジュールを提供しています。
また、様々なアプリケーションに対応するために、様々な回路設計を行っています。

物体から放射された赤外線は、赤外線検出器のアクティブエリアに集中して光電信号を発生させ、フロントエンドエレクトロニクス（FEE）で感知されます。

フロントエンドエレクトロニクス回路は、以下の目的で使用されます。

IRディテクタの動作に最適な条件を提供する（高感度、高速応答、広いダイナミックレンジを実現します。これは、定電圧バイアスと光電信号読み出しの電流モードを最適化することで実現されます)。
過剰なバイアスから検出素子を保護します。
必要な周波数帯の中で信号を増幅する。これは、検出モジュールの結果として生じるノイズに対するプリアンプのノイズの寄与を最小限に抑えることで実現できます。

フロントエンドエレクトロニクスに加えて、検出モジュールは、ゲインブロック、フィルター、熱電冷却器コントローラ、アナログ-デジタルコンバータ（ADC）など、信号調整のための追加の電子ブロックを含むことができます。

UMシリーズ
検出器、プリアンプ、TECコントローラをコンパクトにまとめたことで、小型化、高周波特性の向上、EMI対策、信頼性の向上、使いやすさ、コスト削減などのメリットがあります。

UM-I-10.6　HgCdTe (MCT) 赤外検出器モジュール

2.0 - 12.0 µm, DC - 100 MHz, 光学レンズ埋め込みフォトボルテイック多重接合検出器

UM-I-10.6は、ユニバーサルな "オールインワン "赤外線検出モジュールです。HgCdTeヘテロ構造のTE冷却フォトボルテイック素子に、トランスインピーダンス、DC結合プリアンプ、ファン、TE冷却器コントローラをコンパクトな筐体に内蔵しています。3°ウェッジ付きセレン化亜鉛(ZnSe)反射防止膜付き窓は、不要な干渉の影響を防ぎます。UM-I-10.6検出モジュールは、非常に便利でユーザーフレンドリーなデバイスであるため、様々なLWIRアプリケーションに簡単に使用することができます。

カタログ　ダウンロード　PDF

Spectral response (Ta = 20°C)

特徴
◉ TECコントローラーとファンを内蔵
◉ シングルパワーサプライ
◉ DCモニター
◉ 赤外線の偏光に敏感
◉ 効果的な熱放散のための最適化
◉ 光学アクセサリに対応
◉ コストパフォーマンスに優れたOEM版も用意
◉ ユニバーサルでフレキシブル
◉ 数量割引価格
◉ 迅速な納品

アプリケーション
⦿ ガス検知、モニタリング、分析
⦿ CO₂レーザー（10.6µm）の測定
⦿ レーザ出力のモニタリングと制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザーキャリブレーション

Specification (Ta = 20°C)

パラメーター	代表値
Optical parameters 　　光学パラメーター
Cut-on 波長 λ_cut-on (10%) µm	≤2.0
ピーク波長 λ_peak, µm	8.5±1.5
最適波長 λ_opt, µm	10.6
Cut-off 波長 λ_cut-off (10%) µm	≥12.0
検出感度 D*(λ_peak), cm⋅Hz^1/2/W	≥5.5×10⁸
検出感度 D*(λ_opt), cm⋅Hz^1/2/W	≥3.7×10⁸
出力雑音密度 V_n(100 kHz), nV/Hz^1/2	≤330
Electrical parameters 　　電気的パラメータ
電圧応答性 Rv(λ_peak), V/W	≥9.7×10²
電圧応答性 Ri(λ_opt), V/W	≥6.5×10²
Low cut-off 周波数 f_lo, Hz	DC
High cut-off 周波数 f_hi, Hz	≥100M
出力インピーダンス R_out, Ω	50
出力電圧振幅 V_out, V	±1 (RL = 50 Ω^*))
出力電圧オフセット V_off, V	max ±20
電源電圧 V _sup, V	+5
DC monitor (approx. 0 V offset) 　　DCモニター (約0 Vオフセット)
電圧応答性 Rv(λ_peak), V/W	≥2.2×10²
電圧応答性 Ri(λ_opt), V/W	≥1.5×10²
低域カットオフ周波数 f_lo, Hz	DC
ハイカットオフ周波数 f_hi, Hz	150k
Other information
能動素子材料	エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
光学領域 A_O, mm×mm	1×1
ウィンドウ	wZnSeAR
受入角, Φ	~36°
動作周囲温度 T_a, °C	10 to 30
信号出力ソケット	SMA
DCモニターソケット	SMA
電源ソケット	DC 2.2/5.5
取付穴	M4
ファンの有無	yes
*) R – 負荷抵抗

オプティカニクス株式会社

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