UHSM シリーズ　UHSM-I-10.6　3.0 - 12.0μｍ >700MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS｜取扱製品一覧

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UHSM シリーズ　UHSM-I-10.6　3.0 - 12.0μｍ >700MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS

PRODUCTSUHSM シリーズ　UHSM-I-10.6　3.0 - 12.0μｍ >700MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS

UHSM シリーズ　UHSM-I-10.6　3.0 - 12.0μｍ >700MHz 検出モジュール　VIGO PHOTONICS

セレクトライン

赤外検出器モジュールは、赤外光検出器、信号処理エレクトロニクス、光学系、放熱システムなどを共通のパッケージに統合したものです。
これにより、オーバーバイアス、静電気放電、電磁干渉などの環境影響を受けにくくなります。さらに、高周波性能の向上、出力信号の標準化、小型化、コスト削減などのメリットもあります。VIGO PHOTONICSでは、2μmから12μmまでのスペクトル領域において、非冷却またはペルチェ冷却可能な温度に最適化された赤外線検出器を搭載した検出モジュールを提供しています。
また、様々なアプリケーションに対応するために、様々な回路設計を行っています。

物体から放射された赤外線は、赤外線検出器のアクティブエリアに集中して光電信号を発生させ、フロントエンドエレクトロニクス（FEE）で感知されます。

フロントエンドエレクトロニクス回路は、以下の目的で使用されます。

IRディテクタの動作に最適な条件を提供する（高感度、高速応答、広いダイナミックレンジを実現する。これは、定電圧バイアスと光電信号読み出しの電流モードを最適化することで実現されます)。
過剰なバイアスから検出素子を保護します。
必要な周波数帯の中で信号を増幅する。これは、検出モジュールの結果として生じるノイズに対するプリアンプのノイズの寄与を最小限に抑えることで実現できます。

フロントエンドエレクトロニクスに加えて、検出モジュールは、ゲインブロック、フィルター、熱電冷却器コントローラ、アナログ-デジタルコンバータ（ADC）など、信号調整のための追加の電子ブロックを含むことができます。

UHSMシリーズ
多くのアプリケーションでは、高時間分解能、あるいは高周波数帯域の光検出が必要です。VIGOはこのような用途のために、超高速検出モジュールシリーズを開発しました。電子的にも機械的にも特別な設計を施す必要がありました。高速信号の伝搬に対応するため、検出器の筐体への取り付けは、プリント基板や入力回路にできるだけ近づけるように設計されています。製造工程では、特定の検出器を使って回路を微調整する必要があります。

UHSM-I-10.6　HgCdTe(MCT)赤外検出器モジュール

3.0 - 12.0 µm, 700 MHz以上, 光学レンズ埋め込み光起電(photovoltaic)検出器

UHSM-I-10.6 は、超高速「オールオンワン」IR 検出モジュールです。 HgCdTe ヘテロ構造をベースとした熱電冷却型光学浸漬型光起電検出器は、トランスインピーダンス、AC 結合プリアンプ、ファン、熱電冷却器コントローラーをコンパクトな筐体に統合しています。 3° ウェッジのセレン化亜鉛反射防止コーティング (wZnSeAR) ウィンドウが不要な干渉効果を防ぎます。 UHSM I 10.6 検出モジュールは非常に便利でユーザーフレンドリーなデバイスであるため、広い周波数帯域幅を必要とするさまざまな LWIR アプリケーションで簡単に使用できます。

カタログ

Spectral response (Ta = 20°C)

特徴
◉ 高いS/N比
◉ 1GHzを超える広帯域な周波数帯域
◉ TECコントローラーとファンを内蔵
◉ 単電源
◉ DCモニター
◉ 効果的な放熱のために最適化
◉ 光学アクセサリーに対応
◉ 短納期

アプリケーション
⦿ デュアルコム分光器
⦿ ヘテロダイン検出
⦿ パルスレーザー光源の特性評価
⦿ LIDAR
⦿ オブジェクトスキャナー
⦿ 時間分解蛍光分光分析システム
⦿ 自由空間光通信
⦿ テレメトリー

Specification (Ta = 20°C)

パラメーター	代表値
Optical parameters 　　光学パラメーター
Cut-on 波長 λ_cut-on (10%) µm	≤3.0
ピーク波長 λ_peak, µm	8.5±0.5
最適波長 λ_opt, µm	10.6
Cut-off 波長 λ_cut-off (10%) µm	≥12.5±0.3
検出感度 D*(λ_peak, 100 MHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.5×10⁹
検出感度 D*(λ_opt, 100 MHz), cm⋅Hz^1/2/W	≥1.0×10⁹
出力雑音密度 V_n(100 MHz), nV/Hz^1/2	≤90
Electrical parameters 　　電気的パラメータ (R_L = 50 Ω^*))
電圧応答性 Rv(λ_peak), V/W	≥1.0×10³
電圧応答性 Ri(λ_opt), V/W	≥7.0×10²
Low cut-off 周波数 f_lo, Hz	300
High cut-off 周波数 f_hi, Hz	≥700M
1/fノイズコーナー周波数fc, Hz	≤10M
電源電圧 V _sup, V	+9
DC モニター *(約1Vオフセット、R_L=1MΩ^))**
電圧応答性 Rv(λ_peak), V/W	≥3.8×10³
電圧応答性 Ri(λ_opt), V/W	≥2.7×10²
低域カットオフ周波数 f_lo, Hz	DC
ハイカットオフ周波数 f_hi, Hz	260
Other information
能動素子材料	エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
光学領域 A_O, mm×mm	1×1
ウィンドウ	wZnSeAR
受入角, Φ	~36°
動作周囲温度 Ta, °C	10 to 30
信号出力ソケット	SMA
DCモニターソケット	SMA
電源ソケット	DC 2.1/5.5
取付穴	M4
ファンの有無	yes
^*) R – 負荷抵抗

オプティカニクス株式会社

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