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PRODUCTSSelected Line MicroM-10.6 2.0 - 12.0μm DC - 10MHz 検出モジュール VIGO PHOTONICS

Selected Line MicroM-10.6 2.0 - 12.0μm DC - 10MHz 検出モジュール VIGO PHOTONICS


VIGO PHOTONICS

セレクトライン

赤外検出器モジュールは、赤外光検出器、信号処理エレクトロニクス、光学系、放熱システムなどを共通のパッケージに統合したものです。
これにより、オーバーバイアス、静電気放電、電磁干渉などの環境影響を受けにくくなります。さらに、高周波性能の向上、出力信号の標準化、小型化、コスト削減などのメリットもあります。VIGOでは、2μmから12μmまでのスペクトル領域において、非冷却またはペルチェ冷却可能な温度に最適化された赤外線検出器を搭載した検出モジュールを提供しています。
また、様々なアプリケーションに対応するために、様々な回路設計を行っています。

物体から放射された赤外線は、赤外線検出器のアクティブエリアに集中して光電信号を発生させ、フロントエンドエレクトロニクス(FEE)で感知されます。

フロントエンドエレクトロニクス回路は、以下の目的で使用されます。

IRディテクタの動作に最適な条件を提供する(高感度、高速応答、広いダイナミックレンジを実現する。これは、定電圧バイアスと光電信号読み出しの電流モードを最適化することで実現されます)。
過剰なバイアスから検出素子を保護します。
必要な周波数帯の中で信号を増幅する。これは、検出モジュールの結果として生じるノイズに対するプリアンプのノイズの寄与を最小限に抑えることで実現できます。

フロントエンドエレクトロニクスに加えて、検出モジュールは、ゲインブロック、フィルター、熱電冷却器コントローラ、アナログ-デジタルコンバータ(ADC)など、信号調整のための追加の電子ブロックを含むことができます。

MicroMシリーズ
MicroMシリーズは、非冷却光起電力多重接合検出器を搭載したマイクロサイズの検出モジュールです。2μmから12μmのスペクトル領域、DCから10MHzの周波数帯域での動作に最適化されています。長波長赤外用の限られたスペースの測定システムに容易に組み入れることができます。長波長赤外線アプリケーションのスペースが限られた測定システムでも、簡単に組み立てることができます。 

マイクロM-10.6 HgCdTe (MCT) 赤外検出器モジュール

 

2.0 - 12.0 µm, DC - 10 MHz, フォトボルテイック多重接合検出器
microM-10.6は、マイクロサイズの赤外線検出モジュールです。HgCdTeヘテロ構造の非冷却型フォトボルテイック多接合検出器と、トランスインピーダンス方式の直流結合プリアンプを内蔵しています。このモジュールは、スペースが限られたLWIRアプリケーションの測定システムに簡単に組み込むことができます。

DATASHEET

Spectral response (Ta = 20°C)



特徴
◉ 非常に小さいサイズ
◉ 便利に使える
◉ 汎用性の高さ
◉ 赤外線の偏光に敏感
◉ コストパフォーマンスに優れたOEMバージョンも用意
◉ 数量割引価格
◉ 迅速な納品

アプリケーション
⦿ ガス検知、モニタリング、分析
⦿ CO2レーザー(10.6µm)の測定
⦿ レーザ出力のモニタリングと制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザーキャリブレーション

Specification (Ta = 20°C)

パラメーター 代表値
Optical parameters  光学パラメータ
Cut-on 波長 λcut-on (10%) µm ≤2.0
ピーク波長 λpeak, µm 8.0±1.5
最適波長 λopt, µm 10.6
Cut-off 波長 λcut-off (10%) µm ≥12.0
検出感度 D*(λpeak), cm⋅Hz1/2/W ≥1.5×107
検出感度 D*(λopt), cm⋅Hz1/2/W ≥5.0×107
出力雑音密度 vn(100 kHz), μV/Hz1/2 ≤1
Electrical parameters  電気的パラメータ
電圧応答 Rv(λpeak), V/W ≥1.2×102
電圧応答 Ri(λopt), V/W ≥5.0×101
Low cut-off 周波数 flo, Hz DC
High cut-off 周波数 fhi, Hz ≥10M
出力インピーダンス Rout, Ω 50
出力電圧 swing Vout, V ±1  (RL = 50 Ω*))
出力電圧 offset Voff, V max ±20
電源電圧 V sup, V +9
Other information
能動素子材料 エピタキシャルHgCdTeヘテロ構造
動作領域 A, mm×mm 1×1
ウィンドウ 無し
アクセプタンス角, Φ ~85°
動作周囲温度 Ta, °C 10 to 30
信号出力プラグ SMA
電源プラグ 03T-JWPF-VSLE-S (male)
取付穴 無し
ファン 無し
*) R – 負荷抵抗




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