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PRODUCTSLabM シリーズ LabM-I-10.6 HgCdTe TE 冷却レンズ付き光起電力多接合検出器プログラム可能な IR 検出モジュール VIGO PHOTONICS

LabM シリーズ LabM-I-10.6 HgCdTe TE 冷却レンズ付き光起電力多接合検出器プログラム可能な IR 検出モジュール VIGO PHOTONICS

 


VIGO PHOTONICS

セレクトライン

赤外検出器モジュールは、赤外光検出器、信号処理エレクトロニクス、光学系、放熱システムなどを共通のパッケージに統合したものです。
これにより、オーバーバイアス、静電気放電、電磁干渉などの環境影響を受けにくくなります。さらに、高周波性能の向上、出力信号の標準化、小型化、コスト削減などのメリットもあります。VIGOでは、2μmから12μmまでのスペクトル領域において、非冷却またはペルチェ冷却可能な温度に最適化された赤外線検出器を搭載した検出モジュールを提供しています。
また、様々なアプリケーションに対応するために、様々な回路設計を行っています。

物体から放射された赤外線は、赤外線検出器のアクティブエリアに集中して光電信号を発生させ、フロントエンドエレクトロニクス(FEE)で感知されます。

フロントエンドエレクトロニクス回路は、以下の目的で使用されます。

IRディテクタの動作に最適な条件を提供する(高感度、高速応答、広いダイナミックレンジを実現する。これは、定電圧バイアスと光電信号読み出しの電流モードを最適化することで実現されます)。
過剰なバイアスから検出素子を保護します。
必要な周波数帯の中で信号を増幅する。これは、検出モジュールの結果として生じるノイズに対するプリアンプのノイズの寄与を最小限に抑えることで実現できます。

フロントエンドエレクトロニクスに加えて、検出モジュールは、ゲインブロック、フィルター、熱電冷却器コントローラ、アナログ-デジタルコンバータ(ADC)など、信号調整のための追加の電子ブロックを含むことができます。
 

LabM シリーズ

プログラム可能な検出モジュールは、通常の動作中でも、帯域幅やゲインなど多くのパラメータを制御することができます。これにより、計測システムの設計者に全く新しい可能性をもたらします。完全なアナログ入力回路では、トランスインピーダンス入力段を補正するために、デジタル制御の可変容量であっても、多くのスイッチング素子が使用されます。

LabM-I-10.6 HgCdTe (MCT) 赤外検出器モジュール

HgCdTe TE冷却 レンズ付き光電多接合検出器に基づくプログラマブル IR検出モジュール

LabM-I-10.6 は、トランスインピーダンス プリアンプと統合された、HgCdTe ヘテロ構造に基づく光学的に浸漬された光起電力検出器を備えたプログラム可能な IR 検出モジュールです。 3° ウェッジのセレン化亜鉛反射防止コーティングされたウィンドウが不要な干渉効果を防ぎます。 適切に動作させるには、プログラム可能な「スマート」VIGO 熱電クーラー コントローラー PTCC-01 (別売り) および Smart Manager ソフトウェア (フリーウェア) が必要です。 LabM-I-10.6 モジュールには PTCC-01 が付属しており、Smart Manager ソフトウェアは、さまざまな LWIR アプリケーションのプロトタイピングおよび研究開発段階に最適なソリューションです。 このセットは、システム設計者のさまざまなニーズに柔軟なアプローチを提供します。


カタログ
 

特徴
⦿ スペクトル範囲:2.0~12.0 µm
⦿ 周波数帯域幅:DC~100 MHz
⦿ 高性能と信頼性
⦿ DCオフセット補償
⦿ 光学アクセサリーに対応
⦿ 汎用性と柔軟性
⦿ 数量割引価格
⦿ 短納期
⦿ 最低注文数量不要

アプリケーション
⦿ ガス検知、モニタリング、分析
⦿ CO2レーザー(10.6 µm)測定
⦿ レーザー出力のモニタリングと制御
⦿ レーザービームのプロファイリングと位置決め
⦿ レーザー校正
⦿ 半導体製造
⦿ グルコースモニタリング
⦿ 歯科
⦿ 研究およびプロトタイピング

検出モジュール構成

Detector symbol PVMI-4TE-10.6-1×1-TO8-wZnSeAR-36
Detector type photovoltaic, multi-junction
Active element material epitaxial HgCdTe heterostrucure
Optical area, AO 1 mm × 1 mm
Immersion hyperhemisphere
Cooling 4TE
Acceptance angle, Φ ~36 deg.
Window wZnSeAR

(3 deg. wedged zinc selenide, anti-reflection coating)

Preamplifier symbol PIP
Preamplifier type transimpedance, programmable
Signal output socket SMA
Power supply and TEC control socket LEMO ECG.0B.309.CLN
Mounting hole M4
Built-in fan yes
Built-in TEC controller no

仕様
(Typ., Tamb = 20°C, Rload = 50 Ω, unless otherwise noted, default module settings)
 

Parameter Value
Active element temperature, Tchip ~195 K
Cut-on wavelength, λcut-on (10%)  ≤2.0 µm
Peak wavelength, λpeak 9.0 µm ± 1.0 µm
Optimum wavelength, λopt 10.6 µm
Cut-off wavelength, λcut-off (10%) ≥12.0 µm
Detectivity, D* (λpeak, f = 20 kHz) ≥7.2×108 cm ⋅Hz1/2/W
Detectivity, D* (λopt, f = 20 kHz) ≥6.0×108 cm⋅Hz1/2/W
Output noise voltage density, vn (f = 10 MHz) ≤400 nV/Hz1/2
Voltage responsivity, Rv (λpeak) ≥2.4×103 V/W
Voltage responsivity, Rv (λopt) ≥2.0×103 V/W
Low cut-off frequency, flo-DC 0 Hz
(DC coupling selected)
Low cut-off frequency, flo-AC 10 Hz

(AC coupling selected)

High cut-off frequency, fhi-H ≥100 MHz

(High bandwidth selected)

High cut-off frequency, fhi-M 15 MHz

(Mid bandwidth selected)

High cut-off frequency, fhi-L 1.5 MHz

(Low bandwidth selected)

Output impedance, Rout 50 Ω
Output voltage swing, Vout ±1 V
Output voltage offset, Voff max ±20 mV

Spectral response
(Typ., Tamb = 20°C)







 


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LabM-I-10.6検出モジュールのデータシート
LabM-I-10.6 検出モジュール技術図面

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